FS3L40R07W2H5FB11BOMA1, IGBT Modules EASY STANDARD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
137 000 ֏
от 10 шт. —
111 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 137 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.4В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 20А |
| DC Ток Коллектора | 20А |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Three level Inverter |
| Линейка Продукции | EasyPACK |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1087 КБ
