IGP50N60TXKSA1, IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 500 ֏
от 10 шт. —
4 360 ֏
от 25 шт. —
3 440 ֏
от 100 шт. —
2 980 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 333 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IGP50N60T IGP5N6TXK SP000683046 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 90 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | TRENCHSTOP IGBT |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 90 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 333 W |
Number of Transistors | 3 |
Package Type | PG-TO220-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet IGP50N60TXKSA1
pdf, 459 КБ