IXFB62N80Q3, MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 100 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, Q3-Class, полевой, 800В, 62А, 1560Вт, 300нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 62 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.56 kW |
Qg - заряд затвора | 270 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 300 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Серия | IXFB62N80 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | PLUS-264-3 |
Вес, г | 18 |
Техническая документация
Datasheet IXFB62N80Q3
pdf, 142 КБ