IXFK360N10T, MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
![IXFK360N10T, MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC006529485.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 200 ֏
от 10 шт. —
14 400 ֏
от 25 шт. —
11 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 200 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор TRENCH HIPERFET PWR МОП-транзистор 100V 360A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 360 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 kW |
Qg - заряд затвора | 525 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.9 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 100 ns |
Время спада | 160 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 180 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Серия | IXFK360N10 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 80 ns |
Типичное время задержки при включении | 47 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 181 КБ