IXFK360N10T, MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

IXFK360N10T, MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 200 ֏
от 10 шт.14 400 ֏
от 25 шт.11 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16 200 ֏
Номенклатурный номер: 8005506796
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
МОП-транзистор TRENCH HIPERFET PWR МОП-транзистор 100V 360A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 360 A
Pd - рассеивание мощности 1.25 kW
Qg - заряд затвора 525 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 100 ns
Время спада 160 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 180 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 25
Серия IXFK360N10
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 80 ns
Типичное время задержки при включении 47 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-264-3
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 181 КБ