IXFN140N30P, Discrete Semiconductor Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29 100 ֏
от 10 шт. —
23 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 29 100 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 115 A |
| Pd - рассеивание мощности | 700 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Высота | 9.6 mm |
| Длина | 38.2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Конфигурация | Single Dual Source |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | IXFN140N30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Ширина | 25.07 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
| Power Dissipation | 700Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Монтаж транзистора | Module |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 300В |
| Непрерывный Ток Стока | 140А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 700Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | ISOTOP |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 115 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 700 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-227 |
| Pin Count | 4 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 185 nC @ 10 V |
| Width | 25.07mm |
| Вес, г | 30 |
