IXFN52N100X, Discrete Semiconductor Modules 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
63 900 ֏
от 10 шт. —
51 600 ֏
от 100 шт. —
41 400 ֏
от 200 шт. —
39 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 63 900 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Описание Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 44А, SOT227B, Ugs: ±40В, винтами Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 44 A |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 125 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Время нарастания | 13 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | X-Class |
| Технология | Si |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Типичное время задержки выключения | 107 ns |
| Типичное время задержки при включении | 34 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Вес, г | 30 |
