IXTA10P50P, MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
![IXTA10P50P, MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds](https://static.chipdip.ru/lib/177/DOC036177249.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 100 ֏
от 50 шт. —
5 800 ֏
от 100 шт. —
5 200 ֏
от 500 шт. —
4 220 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 100 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Case | TO263 |
Drain current | -10A |
Drain-source voltage | -500V |
Gate charge | 50nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 1Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 300W |
Reverse recovery time | 414ns |
Technology | PolarP™ |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 176 КБ