IXTQ26N50P, MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 700 ֏
от 10 шт. —
5 600 ֏
от 30 шт. —
5 200 ֏
от 120 шт. —
4 520 ֏
1 шт.
на сумму 6 700 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 26А, 400Вт, TO3P, 300нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Qg - заряд затвора | 65 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 230 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Высота | 20.3 mm |
| Длина | 15.8 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 31 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXTQ26N50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Вес, г | 5.5 |
