IXTQ52N30P, MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds

Фото 1/2 IXTQ52N30P, MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 100 ֏
от 10 шт.6 800 ֏
от 30 шт.6 000 ֏
от 120 шт.5 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 100 ֏
Номенклатурный номер: 8005506855
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Описание Транзистор полевой IXTQ52N30P от производителя IXYS представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа типа THT. Этот транзистор обладает током стока 52 А и напряжением сток-исток, достигающим 300 В, что делает его идеальным выбором для задач, требующих большой мощности. С мощностью в 400 Вт и сопротивлением в открытом состоянии всего 0,073 Ом, он обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях энергии. В корпусе TO3P этот компонент легко интегрируется в различные области применения, где требуется надежное управление мощностью. Код товара IXTQ52N30P станет ключевым элементом в вашем проекте, обеспечивая стабильную работу и долговечность. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж THT
Ток стока, А 52
Напряжение сток-исток, В 300
Мощность, Вт 400
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.073
Корпус TO3P

Технические параметры

Brand: IXYS
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Fall Time: 20 ns
Id - Continuous Drain Current: 52 A
Manufacturer: IXYS
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-3P-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 400 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 110 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 66 mOhms
Rise Time: 22 ns
Series: IXTQ52N30
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 60 ns
Typical Turn-On Delay Time: 24 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 300 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Вес, г 135.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 146 КБ