IXYP20N65C3D1, IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
![Фото 1/2 IXYP20N65C3D1, IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
4 670 ֏
от 10 шт. —
3 650 ֏
от 50 шт. —
3 290 ֏
от 100 шт. —
2 640 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 670 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 20А, 200Вт, TO220-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 200 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | Planar |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | XPT, GenX3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 249 КБ