MMO74-12IO6, Discrete Semiconductor Modules 74 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 400 ֏
от 10 шт. —
27 200 ֏
от 20 шт. —
26 100 ֏
от 50 шт. —
24 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 37 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Описание Модуль: тиристорный; обратный; 1,2кВ; 40А; SOT227B; Ufmax: 1,29В Характеристики | Категория | Диод |
| Тип | модуль |
| Вид | тиристорный |
Технические параметры
| Maximum Gate Trigger Current | 150mA |
| Maximum Gate Trigger Voltage | 1.6V |
| Maximum Holding Current | 100mA |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-227B |
| Pin Count | 4 |
| Rated Average On-State Current | 40A |
| Repetitive Peak Forward Blocking Voltage | 1200V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1200V |
| Surge Current Rating | 650A |
| Thyristor Type | SCR |
| Case | SOT227B |
| Electrical mounting | screw |
| Gate current | 100/150mA |
| Kind of package | bulk |
| Load current | 40A |
| Manufacturer | IXYS |
| Max. forward impulse current | 600A |
| Max. forward voltage | 1.29V |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Semiconductor structure | opposing |
| Type of module | thyristor |
| Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 708 КБ
Диодно-тиристорные модули Crydom
pdf, 187 КБ
