RN1102,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13973 шт., срок 7-9 недель

269 ֏

1 шт. на сумму 269 ֏

Номенклатурный номер: 8005509525

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor

Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	RN1102
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-416-3
Вес, г	0.006