RN1102MFV,L3F, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
![RN1102MFV,L3F, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor](https://static.chipdip.ru/lib/544/DOC027544977.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5646 шт., срок 7-9 недель
295 ֏
1 шт.
на сумму 295 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
Manufacturer: | Toshiba |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-723 |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Qualification: | AEC-Q101 |
Series: | RN1102 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 1 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 780 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг