RN1703,LF, Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8449 шт., срок 7-9 недель
357 ֏
1 шт.
на сумму 357 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | USV-5 |
| Вес, г | 0.0062 |
Техническая документация
Datasheet RN1703.LF
pdf, 1709 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
