TK5A60W,S4VX, MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

107 шт., срок 5-8 недель

2 580 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 580 ֏

Номенклатурный номер: 8005509662

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC

Id - непрерывный ток утечки	5.4 A
Pd - рассеивание мощности	30 W
Qg - заряд затвора	10.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	770 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.7 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	18 ns
Время спада	7 ns
Высота	15 mm
Длина	10 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK5A60W
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	50 ns
Типичное время задержки при включении	40 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	TO-220FP-3
Ширина	4.5 mm
Вес, г	6