TK7S10N1Z,LXHQ, MOSFET PD=50W F=1MHZ AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2045 шт., срок 6-9 недель
1 070 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 070 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETsToshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. They feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. They have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Fall Time: | 6.2 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | DPAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 50 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 7.1 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 48 mOhms |
Rise Time: | 4.6 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 22.7 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 12.7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 272 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг