BUJ303A,127, Bipolar Transistors - BJT RAIL BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4704 шт., срок 5-8 недель
800 ֏
от 10 шт. —
720 ֏
от 100 шт. —
436 ֏
от 500 шт. —
352 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8005510528
Бренд: WeEn Semiconductors
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярный (BJT) транзистор NPN 500V 5A 100W Through Hole TO-220AB
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100ВµA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 14 @ 500mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power - Max | 100W |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 600mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet BUJ303A,127
pdf, 613 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
