SI2302CDS-T1-E3, MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
от 10 шт. —
378 ֏
от 100 шт. —
209 ֏
от 1000 шт. —
134 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Посмотреть аналоги7
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 2.6 А, 20 В SOT23
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 710 mW |
| Qg - заряд затвора | 3.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Высота | 1.45 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | SI2302CDS-E3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.85V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 0.71 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.038 |
