SI4804CDY-T1-GE3, MOSFET 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

940 ֏

от 10 шт. — 760 ֏

от 100 шт. — 520 ֏

от 500 шт. — 411 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 940 ֏

Номенклатурный номер: 8005512589

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V

Id - непрерывный ток утечки	8 A
Pd - рассеивание мощности	3.1 W
Qg - заряд затвора	23 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	22 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.75 mm
Длина	4.9 mm
Другие названия товара №	SI4804CDY-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	SI4
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	SO-8
Ширина	3.9 mm
Вес, г	0.187