SI4838DY-T1-E3, MOSFETs RECOMMENDED ALT SI4838BDY-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 830 ֏
от 10 шт. —
3 030 ֏
от 25 шт. —
2 800 ֏
от 100 шт. —
2 180 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 830 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор RECOMMENDED ALT 781-SI4838BDY-GE3
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Другие названия товара № | SI4838DY-E3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | SI4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.187 |
Техническая документация
Datasheet SI4838DY-T1-E3
pdf, 156 КБ
