IRF720SPBF, MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
![IRF720SPBF, MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516338.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 000 ֏
от 10 шт. —
1 560 ֏
от 100 шт. —
1 180 ֏
от 250 шт. —
1 020 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Chan 400V 3.3 Amp
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
Pd - рассеивание мощности | 50 W |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 10.67 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 9.65 mm |
Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet IRF720SPBF
pdf, 180 КБ