IRFPG30PBF, MOSFETs 1000V N-CH HEXFET
![Фото 1/5 IRFPG30PBF, MOSFETs 1000V N-CH HEXFET](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/366/DOC004366840.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171488.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/889/DOC024889723.jpg)
3 830 ֏
от 10 шт. —
3 380 ֏
от 25 шт. —
2 610 ֏
от 500 шт. —
2 190 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 830 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N-Chan 1000V 3.1 Amp
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 20.82 mm |
Длина | 15.87 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | IRFPG |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 5.31 mm |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 5Ом |
Power Dissipation | 125Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1кВ |
Непрерывный Ток Стока | 3.1А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 5Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.1 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5000@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 1000 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-247AC |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 29 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 80(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 80(Max)@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 980@25V |
Typical Rise Time (ns) | 24 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 89 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247AC |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1748 КБ
Datasheet
pdf, 1263 КБ
Datasheet
pdf, 987 КБ
Datasheet IRFPG30PBF
pdf, 1751 КБ