IRFU9310PBF, MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
![Фото 1/6 IRFU9310PBF, MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp](https://static.chipdip.ru/lib/910/DOC043910269.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530249.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313996.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/437/DOC004437577.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/704/DOC027704840.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/949/DOC027949336.jpg)
1 380 ֏
от 10 шт. —
1 070 ֏
от 100 шт. —
810 ֏
от 500 шт. —
680 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 380 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -400В, -1,1А, 50Вт, IPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1.8 A |
Pd - рассеивание мощности | 50 W |
Qg - заряд затвора | 13 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 6.22 mm |
Длина | 6.73 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 75 |
Серия | IRFR/U |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Ширина | 2.39 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 7 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 50 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | IPAK(TO-251) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
Width | 2.38mm |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.8A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 50W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1.1A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-251AA |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, кг | 5.41 |