CPC3708CTR, MOSFETs N-Channel Depletion Mode FET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
от 100 шт. —
660 ֏
от 500 шт. —
493 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 350В, 0,13А, 1,8Вт, SOT89 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | -0.35V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 110В°C (TA) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-243AA |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 50mA, 350mV |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet CPC3708CTR
pdf, 521 КБ
