FMMT459TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-V Sw 500V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 ֏
от 10 шт. —
620 ֏
от 100 шт. —
388 ֏
от 500 шт. —
302 ֏
1 шт.
на сумму 750 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
High Voltage Transistors, Diodes Inc.
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 450V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Transistor Type | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 500 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 450 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 806 mW |
| Minimum DC Current Gain | 50 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
