ZTX1051A, Bipolar Transistors - BJT NPN High Current
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 370 ֏
от 10 шт. —
1 060 ֏
от 100 шт. —
780 ֏
от 500 шт. —
730 ֏
1 шт.
на сумму 1 370 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Current
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 4.01 mm |
Длина | 4.77 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 290 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 190 at 4 A |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 290 at 10 mA at 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 155 MHz |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | ZTX1051 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Ширина | 2.41 mm |
Вес, г | 0.4536 |
Техническая документация
Datasheet ZTX1051A
pdf, 144 КБ