ZTX1051A, Bipolar Transistors - BJT NPN High Current

ZTX1051A, Bipolar Transistors - BJT NPN High Current
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 370 ֏
от 10 шт.1 060 ֏
от 100 шт.780 ֏
от 500 шт.730 ֏
1 шт. на сумму 1 370 ֏
Номенклатурный номер: 8005537733
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Current

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 4.01 mm
Длина 4.77 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 290 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 190 at 4 A
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 290 at 10 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 4 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 155 MHz
Размер фабричной упаковки 4000
Серия ZTX1051
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-92-3
Ширина 2.41 mm
Вес, г 0.4536

Техническая документация

Datasheet ZTX1051A
pdf, 144 КБ