2DC2412R-7, Bipolar Transistors - BJT 50V NPN SMT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

484 ֏

от 10 шт. — 313 ֏

от 100 шт. — 124 ֏

от 1000 шт. — 79 ֏

1 шт. на сумму 484 ֏

Номенклатурный номер: 8005541475

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 50V NPN SMT

Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.1 mm
Длина	3 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	180 at 1 mA at 6 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	180 at 1 mA at 6 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.15 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	180 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2DC24
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Вес, г	0.008