DXT751-13, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

710 ֏

от 10 шт. — 620 ֏

от 100 шт. — 374 ֏

от 500 шт. — 281 ֏

1 шт. на сумму 710 ֏

Номенклатурный номер: 8005541536

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR PNP

Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.5 mm
Длина	4.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	145 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	DXT751
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.5 mm
Вес, г	0.052