MMBT4403-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
194 ֏
от 10 шт. —
132 ֏
от 100 шт. —
58 ֏
от 1000 шт. —
32 ֏
1 шт.
на сумму 194 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 40В, 0,6А, 310мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Transistor Type | PNP |
| Maximum Collector Base Voltage | -40 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -40 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вид | PNP |
| Тип | биполярный |
| Вес, г | 1 |
