IKP06N60T, IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 120 ֏
от 10 шт. —
1 630 ֏
от 100 шт. —
1 210 ֏
от 500 шт. —
950 ֏
1 шт.
на сумму 2 120 ֏
Описание
Unclassified
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 0.335mJ |
| Gate Capacitance | 368pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 6 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 88 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 2.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKP06N60TXKSA1
pdf, 514 КБ
