RGT16TM65DGC9, IGBTs RGT16TM65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General Inverter,
![RGT16TM65DGC9, IGBTs RGT16TM65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General Inverter,](https://static.chipdip.ru/lib/094/DOC010094698.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
989 шт., срок 6-9 недель
3 290 ֏
от 10 шт. —
2 580 ֏
от 100 шт. —
1 920 ֏
от 250 шт. —
1 650 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 290 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 9А |
Power Dissipation | 22Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220NFM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGT16TM65DGC9
pdf, 1555 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг