SSM6N37FE,LM, MOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V

SSM6N37FE,LM, MOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
267 шт., срок 7-9 недель
484 ֏
1 шт. на сумму 484 ֏
Номенклатурный номер: 8005545419
Бренд: Toshiba

Описание

Unclassified
МОП-транзистор SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 250 mA
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.2 Ohms, 2.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 350 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.55 mm
Длина 1.6 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Коммерческое обозначение U-MOSIII
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 4000
Серия SSM6N37
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 2 N-Channel
Типичное время задержки выключения 36 ns, 36 ns
Типичное время задержки при включении 18 ns, 18 ns
Торговая марка Toshiba
Упаковка / блок ES6-6
Ширина 1.2 mm
Вес, г 0.036

Техническая документация

Datasheet SSM6N37FE.LM
pdf, 206 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг