SSM6N37FE,LM, MOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
267 шт., срок 7-9 недель
484 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms, 2.2 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 350 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.55 mm |
Длина | 1.6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Коммерческое обозначение | U-MOSIII |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | SSM6N37 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 2 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 36 ns, 36 ns |
Типичное время задержки при включении | 18 ns, 18 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | ES6-6 |
Ширина | 1.2 mm |
Вес, г | 0.036 |
Техническая документация
Datasheet SSM6N37FE.LM
pdf, 206 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг