SI8487DB-T1-E1, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -6,4А, 1,8/0,73Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 190 ֏
от 5 шт. —
530 ֏
от 25 шт. —
418 ֏
от 100 шт. —
320 ֏
1 шт.
на сумму 1 190 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Технические параметры
| Case | MICROFOOT® 1.6x1.6 |
| Drain current | -6.4A |
| Drain-source voltage | -30V |
| Gate charge | 80nC |
| Gate-source voltage | ±12V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 45mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.8/0.73W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.03 |
