ZTX857STZ, Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 540 ֏
от 10 шт. —
1 190 ֏
от 100 шт. —
880 ֏
от 500 шт. —
690 ֏
1 шт.
на сумму 1 540 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 330 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.45 |
