2ED2103S06FXUMA1, Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
![Фото 1/2 2ED2103S06FXUMA1, Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171135.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/232/DOC028232830.jpg)
1 380 ֏
от 10 шт. —
1 160 ֏
от 100 шт. —
860 ֏
от 500 шт. —
660 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 380 ֏
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
The Infineon high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels.
Технические параметры
Fall Time | 35ns |
Logic Type | CMOS, LSTTL |
Output Current | 290 mA |
Package Type | DSO |
Pin Count | 8 |
Supply Voltage | 10 → 20V |
IC Case / Package | SOIC |
Задержка Выхода | 90нс |
Задержка по Входу | 90нс |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Количество Каналов | 2канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Полумост |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальное Напряжение Питания | 20В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 10В |
Стиль Корпуса Привода | SOIC |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
Ток истока | 290мА |
Ток стока | 700мА |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Техническая документация
Datasheet 2ED2103S06FXUMA1
pdf, 1151 КБ