IHW50N65R5XKSA1, IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5

IHW50N65R5XKSA1, IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 320 ֏
от 10 шт.3 740 ֏
от 25 шт.2 860 ֏
от 100 шт.2 670 ֏
1 шт. на сумму 4 320 ֏
Номенклатурный номер: 8005629085

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 282 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW50N65R5 SP001133104
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия TRENCHSTOP 5 RC-H
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 80 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 282 W
Package Type PG-TO247-3
Pin Count 3
Вес, г 6.046

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2128 КБ