IKZA75N65RH5XKSA1, IGBTs SIC DISCRETE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 500 ֏
от 10 шт. —
9 400 ֏
от 25 шт. —
8 000 ֏
от 100 шт. —
6 800 ֏
1 шт.
на сумму 11 500 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 395Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKZA75N65RH5XKSA1
pdf, 1512 КБ
