IXFN110N85X, Discrete Semiconductor Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
82 400 ֏
от 10 шт. —
66 400 ֏
от 100 шт. —
62 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 82 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Описание Модуль, одиночный транзистор, 850В, 110А, SOT227B, Ugs: ±40В, 425нC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 33 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.17 kW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-227 |
| Pin Count | 4 |
| Series | HiperFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 425 @ 10 V nC |
| Width | 25.07mm |
| Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFN110N85X
pdf, 127 КБ
