2SA2056(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; TSM; PC=1W; F=100KHZ
4162 шт., срок 7-9 недель
580 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
50V 625mW 200@300mA,2V 2A PNP SC-61 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@1A, 33mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@300mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Вес, г | 0.01 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
