IXBN75N170A, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,7кВ, Ic: 42А, SOT227B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
72 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 72 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Описание Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,7кВ, Ic: 42А, SOT227B Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Application | for UPS, motors |
| Case | SOT227B |
| Collector current | 42A |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | IXYS |
| Max. off-state voltage | 1.7kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Power dissipation | 500W |
| Pulsed collector current | 100A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 37.12 |
