CSD88537NDT, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 15А, 2,1Вт, SO8, NexFET™
![Фото 1/2 CSD88537NDT, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 15А, 2,1Вт, SO8, NexFET™](https://static.chipdip.ru/lib/748/DOC043748619.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/088/DOC024088837.jpg)
2 160 ֏
от 10 шт. —
1 590 ֏
от 100 шт. —
1 020 ֏
от 250 шт. —
900 ֏
1 шт.
на сумму 2 160 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 15А, 2,1Вт, SO8, NexFET™ Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Development Kit: | DRV8308EVM, DRV8307EVM, BOOST-DRV8711 |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 750 |
Fall Time: | 19 ns |
Forward Transconductance - Min: | 42 S |
Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | SOIC-8 |
Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 14 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
Rise Time: | 15 ns |
Series: | CSD88537ND |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | NexFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 5 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
Вес, г | 0.03 |