BCP5310TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт. —
370 ֏
от 100 шт. —
159 ֏
от 1000 шт. —
114 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Base Product Number | BCP5310 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power - Max | 2W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 393 КБ
