ZXTN19055DZTA, Bipolar Transistors - BJT 20V NPN HIGH GAIN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 ֏
от 10 шт. —
750 ֏
от 100 шт. —
498 ֏
от 500 шт. —
400 ֏
1 шт.
на сумму 930 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 55В |
| Continuous Collector Current | 6А |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Power Dissipation | 2.1Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Частота Перехода ft | 200МГц |
| Вес, г | 0.15 |
