TPD4E001DBVR, ESD Protection Diodes / TVS Diodes Low-Cap 4Ch +/-15kV ESD Protection Array
![Фото 1/4 TPD4E001DBVR, ESD Protection Diodes / TVS Diodes Low-Cap 4Ch +/-15kV ESD Protection Array](https://static.chipdip.ru/lib/587/DOC041587795.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395361.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762900.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/462/DOC004462258.jpg)
630 ֏
от 10 шт. —
540 ֏
от 100 шт. —
294 ֏
от 500 шт. —
242 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 ֏
Описание
Unclassified
Описание СОТ5 Характеристики Категория | Микросхема |
Технические параметры
Diode Configuration | Complex Array |
Direction Type | Uni-Directional |
ESD Protection | Yes |
Maximum Clamping Voltage | 100V |
Maximum Operating Temperature | +85 °C |
Maximum Peak Pulse Current | 5.5A |
Maximum Reverse Leakage Current | 1nA |
Maximum Reverse Stand-off Voltage | 5.5V |
Minimum Breakdown Voltage | 11V |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 4 |
Package Type | SOT-23 |
Peak Pulse Power Dissipation | 100W |
Pin Count | 6 |
Test Current | 10mA |
Width | 1.75mm |
Количество защищаемых линий | 4 |
Максимальное напряжение ограничения, В | 25 |
Максимальный импульсный ток (Ipp), А | 5.5 |
Напряжение несрабатывания, В | 11 |
Пиковая мощность рассеивания, Вт | 100 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Упаковка | REEL, 3000 шт. |
Уровень защиты по ESD (IEC61000-4-2) | ±15 кВ возд./±8 кВ касание |
Вес, г | 0.019 |
Техническая документация
Мы рекомендуем