IRFP460APBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 490 ֏
от 25 шт. —
3 070 ֏
от 100 шт. —
2 440 ֏
от 500 шт. —
2 220 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 490 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 13А, 280Вт, TO247AC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Pd - рассеивание мощности | 280 W |
| Qg - заряд затвора | 105 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 55 ns |
| Время спада | 39 ns |
| Высота | 20.82 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | IRFP |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 39 ns |
| Forward Transconductance - Min | 11 S |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 280 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 105 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 270 mOhms |
| Rise Time | 55 ns |
| Series | IRFP |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 280W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, кг | 8.32 |
Техническая документация
Datasheet IRFP460APBF
pdf, 197 КБ
IRFP460A datasheet
pdf, 105 КБ
Документация
pdf, 195 КБ
Datasheet IRFP460A, SiHFP460A
pdf, 210 КБ
