IRFD9010PBF
![Фото 1/2 IRFD9010PBF](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC044389765.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/907/DOC042907712.jpg)
1 780 ֏
от 10 шт. —
1 340 ֏
от 100 шт. —
970 ֏
от 500 шт. —
770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 780 ֏
Описание
The Vishay Semiconductor P-channel mosfet HVMDIPs are intended for use in power stages where complementary symmetry with n-channel devices offers circuit simplification.
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.35Ом |
Power Dissipation | 1Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
Непрерывный Ток Стока | 1.1А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Стиль Корпуса Транзистора | HVMDIP |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Maximum Continuous Drain Current | 1.1 A |
Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | HVMDIP |