SI3457CDV-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 ֏
от 10 шт. —
630 ֏
от 100 шт. —
365 ֏
от 500 шт. —
274 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -4,1А, 2Вт, TSOP6 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 13 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | -3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TSOP-6 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Width | 1.7mm |
