CSD13302W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
423 ֏
от 100 шт. —
234 ֏
от 500 шт. —
202 ֏
2 шт.
на сумму 1 160 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 12 В 1,6 A (Ta) 1,8 Вт (Ta), поверхностный монтаж 4-DSBGA
Технические параметры
| Base Product Number | CSD13302 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 862pF @ 6V |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1mOhm @ 1A, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | 4-DSBGA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17.1 mOhms |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.62 mm |
| Длина | 1 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CSD13302W |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-4 |
| Ширина | 1 mm |
| Вес, кг | 9.7 |
Техническая документация
Datasheet CSD13302W
pdf, 517 КБ
