IRFD9210PBF
![Фото 1/6 IRFD9210PBF](https://static.chipdip.ru/lib/592/DOC044592468.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614822.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438108.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/907/DOC004907987.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/597/DOC006597905.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC024330462.jpg)
1 560 ֏
от 10 шт. —
1 200 ֏
от 100 шт. —
870 ֏
от 500 шт. —
740 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 560 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -0,25А, 1Вт, DIP4 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Base Product Number | IRFD9210 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 400mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 240mA, 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Id - непрерывный ток утечки | 400 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Qg - заряд затвора | 8.9 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 3.37 mm |
Длина | 6.29 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | IRFD |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | HVMDIP-4 |
Ширина | 5 mm |
Вес, г | 0.7 |
Техническая документация
Datasheet IRFD9210PBF
pdf, 792 КБ