SI3493BDV-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 250 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
от 100 шт. —
660 ֏
от 500 шт. —
494 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 250 ֏
Описание
МОП-транзистор 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 27.5@4.5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 29@5V|26.2@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1805@10V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2080 |
| Typical Fall Time (ns) | 84 |
| Typical Rise Time (ns) | 72 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 75 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 22 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 6 |
| Supplier Package | TSOP |
| Standard Package Name | SOP |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1(Max) |
| Package Length | 3.05 |
| Package Width | 1.65 |
| PCB changed | 6 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SI3493BDV-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 197 КБ
